Une ingénierie de précision pour la gestion de l'énergie
Le module de puissance semi-conducteur 7MBR50SB120H-70 incarne l'excellence technique au service des applications industrielles exigeantes. Sa fabrication repose sur un choix rigoureux de matériaux capables de supporter des contraintes électriques et thermiques sévères au quotidien.
Conception robuste pour environnements hostiles
Le boîtier hermétique protège les puces de silicium contre la poussière conductrice et l'humidité ambiante, souvent responsables des arcs électriques en milieu d'usine. Les connexions internes soudées par ultrasons garantissent une conductivité parfaite et éliminent les risques de rupture de contact sous l'effet des chocs thermiques.
Données mécaniques et électriques
Élément de structure
Spécification technique
Matériau du boîtier
Résine époxy thermo-durcissable
Courant collecteur ic
50 A
Tension maximale vces
1200 V
Température de jonction maximale
150 degrés Celsius
Opter pour ce niveau de qualité structurelle permet de sécuriser les investissements matériels majeurs. Les interruptions de service pour cause de défaillance électronique deviennent exceptionnelles, assurant ainsi une rentabilité maximale aux lignes de production automatisées.
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