Composant FP40R12KT3 semi conducteur de puissance IGBT 1200V triphasé

Architecture électronique du module de puissance FP40R12KT3

Le circuit électronique intégré FP40R12KT3 regroupe dans un seul et même boîtier un pont redresseur triphasé, un hacheur de freinage et unonduleur à sept transistors. Cette densité d'intégration permet de concevoir des équipements de conversion d'énergie plus compacts et plus légers, tout en maintenant un niveau d'isolation diélectrique élevé indispensable pour la conformité aux normes électriques industrielles.

Fiche d'identification technique du boîtier

1. Tension collecteur-émetteur maximale de 1200V pour réseaux triphasés.
2. Courant nominal de fonctionnement continu fixé à 40A.
3. Diodes de roue libre intégrées avec technologie à recouvrement souple.

Bénéfices de l'intégration PIM pour l'ingénierie

L'utilisation du modèle FP40R12KT3 réduit le nombre de connexions filaires internes dans les convertisseurs de puissance. Moins de câblage signifie une diminution des inductances parasites, ce qui améliore la propreté du signal de sortie destiné aux moteurs asynchrones. Les concepteurs de filtres d'harmoniques obtiennent ainsi des ondes de courant plus régulières, limitant l'usure prématurée des enroulements de moteurs industriels.